性能参数表：单工、半双工和全双工的定义如果在通信过程的任意时刻，信息只能由一方A传到另一方B，则称为单工。如果在任意时刻，信息既可由A传到B，又能由B传A，但只能由一个方向上的传输存在，称为半双工传输。如果在任意时刻，线路上存在A到B和B到A的双向信号传输，则称为全双工。RS-232的一些注意事项RS-232常用的三根针是5。其中5是地线，2和3是用来传数据的。

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就会影响整根电缆质量。质量缺陷越是发生在内层，而且没有及时发现终止出产。那么造成的损失就越大。由于电线电缆的出产不同于式的产品，可以拆重装及更换另件；电线电缆的任一部件或工艺过程的质量题目，对这根电缆几乎是无法挽回和弥补的。事后的都是十分消极的，不是锯短就是降级，要么报废整条电缆。它无法拆重装。电线电缆的质量治理，必需贯穿整个出产过程。质量治理分要对整个出产过程巡回检查、操纵人自检、上下工序互检，这是保证产品质量，进步企业经济效益的重要保证和手段。2．出产工艺门类多、物料流量大电线电缆涉及的工艺门类广泛，从有色金属的熔炼和压力，到塑料、橡胶、油漆等化工技术；纤维材料的绕包、编织等的纺织技术。

陕西咸阳电缆电缆（ /资讯）电缆在维修作业时，会碰到一种现象。设备不能正常工作，设备是好的，用万用表测得的电压也是额定电压。如图；v1电源s1s2为空x1为负载当用万用表测得s1s2两端电压为220v。闭合关s1s2负载x1不能发光，关s1s2到负载x1线路设备是好。那 终可以 定是电源v1到关s1s2线路设备有问题。但测量电压又是好的。如图；如果因为什么原因导致电源v1到关s1s2之间电阻变大。就如R1此时在测量关s1s2电压还是电源v1的额定电压，但当接上负载后就不一样了，关s1s2闭合后就相当于电阻R1与x1串联接入电源v1。MOS管型防反接保护电路利用了MOS管的关特性，控制电路的导通和断来设计防反接保护电路，由于功率MOS管的内阻很小，现在MOSFETRds（on）已经能够到毫欧级，解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。极性反接保护将保护用场效应管与被保护电路串联连接。一旦被保护电路的电源极性反接，保护用场效应管会形成断路，防止电流烧毁电路中的场效应管元件，保护整体电路。N沟道MOS管防反接保护电路电路如示N沟道MOS管通过S管脚和D管脚串接于电源和负载之间，电阻R1为MOS管电压偏置，利用MOS管的关特性控制电路的导通和断，从而防止电源反接给负载带来损坏。基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。NPN型三极管在三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）及基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流子。上式为 磁铁激磁的步进电机产生的电磁转矩，因此有下面的公式：E0=NdΦ/dtθ=ωtω=Nrωm式中，Φ为交链磁通，θ为转子转动角，ω为电气角速度，N为相线圈匝数。E0=NdΦ/dt由法拉第定律得来。θ=ωt为机械角与电气角的关系式，把上式代入到T=E0I/ωm可得：T=E0I/ωm=N(dΦ/dt)I/ωm=N(dΦ/dθ)(dθ/dt)I/ωm=N(ω/ωm)(dΦ/dθ)I(dΦ/dθ)=NNrI(dΦ/dθ)步进电机的转矩由永磁体产生的交链磁通变化率与流过线圈电流之积产生为感应电动势，图表示如下：将此E0代入T=E0I/ωm，单相转矩变为下式：T1=2NIBLr依据图， 磁铁激磁的步进电机转矩公式为（T1=2NIBLr），当Nr=1时，转矩公式与直流电机的转矩公式（T=2NIBLr）相同，直流电机的气隙磁通B，相当于步进电机的交链磁通的有效当量部分总和。